IRF7478PBF Ficha de datos
Especificaciones para IRF7478PBF
Número de pieza : IRF7478PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1740pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRF7478PBF
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
68820 Piezas
Precio de referencia
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