IRF7106 Ficha de datos
Especificaciones para IRF7106
Número de pieza : IRF7106
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 300pF @ 15V
Potencia - max : 2W
Temperatura de funcionamiento : -
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRF7106
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
25998 Piezas
Precio de referencia
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