IPS70R2K0CEAKMA1 Ficha de datos
Especificaciones para IPS70R2K0CEAKMA1
Número de pieza : IPS70R2K0CEAKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET NCH 700V 4A TO251
Serie : CoolMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 163pF @ 100V
Característica FET : Super Junction
Disipación de potencia (max) : 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO251-3
Paquete / Caja : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET NCH 700V 4A TO251
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
599495 Piezas
Precio de referencia
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