IPN60R360P7SATMA1 Ficha de datos
Especificaciones para IPN60R360P7SATMA1
Número de pieza : IPN60R360P7SATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Serie : CoolMOS™ P7
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 140µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 555pF @ 400V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-SOT223
Paquete / Caja : TO-261-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
993005 Piezas
Precio de referencia
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