IPC302N25N3AX1SA1 Ficha de datos
Especificaciones para IPC302N25N3AX1SA1
Número de pieza : IPC302N25N3AX1SA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 250V 1A SAWN ON FOIL
Serie : OptiMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : -
Temperatura de funcionamiento : -
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : Sawn on foil
Paquete / Caja : Die
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 250V 1A SAWN ON FOIL
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
118320 Piezas
Precio de referencia
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