HN4K03JUTE85LF Ficha de datos
Especificaciones para HN4K03JUTE85LF
Número de pieza : HN4K03JUTE85LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 8.5pF @ 3V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : USV
Paquete / Caja : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
17760 Piezas
Precio de referencia
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