GP1M006A065PH Ficha de datos
Especificaciones para GP1M006A065PH
Número de pieza : GP1M006A065PH
Fabricante : Global Power Technologies Group
Descripción : MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1177pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : I-PAK
Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
20920 Piezas
Precio de referencia
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