GA20JT12-263 Ficha de datos
Especificaciones para GA20JT12-263
Número de pieza : GA20JT12-263
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descripción : TRANS SJT 1200V 45A
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : -
Tecnología : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 45A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3091pF @ 800V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 282W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK (7-Lead)
Paquete / Caja : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-GA20JT12-263
Fabricante
Breve descripción
TRANS SJT 1200V 45A
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
20408 Piezas
Precio de referencia
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