FQI11P06TU Ficha de datos
Especificaciones para FQI11P06TU
Número de pieza : FQI11P06TU
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
Serie : QFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11.4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 550pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FQI11P06TU
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
51000 Piezas
Precio de referencia
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