Especificaciones para FDS6575

Número de pieza : FDS6575
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO
Serie : PowerTrench®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4951pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
695050 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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