FDR840P Ficha de datos
Especificaciones para FDR840P
Número de pieza : FDR840P
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4481pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SuperSOT™-8
Paquete / Caja : 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FDR840P
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
50898 Piezas
Precio de referencia
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