EPC2212 Ficha de datos
Especificaciones para EPC2212
Número de pieza : EPC2212
Fabricante : EPC
Descripción : AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
Serie : eGaN®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 18A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 407pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : -
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : Die
Paquete / Caja : Die
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-EPC2212
Fabricante
Breve descripción
AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
363040 Piezas
Precio de referencia
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