EPC2108 Ficha de datos
Especificaciones para EPC2108
Número de pieza :
EPC2108
Fabricante :
EPC
Descripción :
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Serie :
eGaN®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V, 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potencia - max :
-
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
9-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
9-BGA (1.35x1.35)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-EPC2108
Fabricante
Breve descripción
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
566100 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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