CSD87312Q3E Ficha de datos
Especificaciones para CSD87312Q3E
Número de pieza : CSD87312Q3E
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Serie : NexFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 7A , 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1250pF @ 15V
Potencia - max : 2.5W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSON (3.3x3.3)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD87312Q3E
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1084425 Piezas
Precio de referencia
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