Especificaciones para CSD18509Q5BT

Número de pieza : CSD18509Q5BT
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Serie : NexFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 13900pF @ 20V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSON-CLIP (5x6)
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
307635 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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