BSZ086P03NS3GATMA1 Ficha de datos
Especificaciones para BSZ086P03NS3GATMA1
Número de pieza : BSZ086P03NS3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Serie : OptiMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 105µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 57.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4785pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TSDSON-8
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1481825 Piezas
Precio de referencia
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