BSS192PE6327 Ficha de datos
Especificaciones para BSS192PE6327
Número de pieza : BSS192PE6327
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Serie : SIPMOS®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 190mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 104pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-SOT89
Paquete / Caja : TO-243AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-BSS192PE6327
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
65970 Piezas
Precio de referencia
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