BSC105N10LSFGATMA1 Ficha de datos
Especificaciones para BSC105N10LSFGATMA1
Número de pieza : BSC105N10LSFGATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 110µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3900pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TDSON-8
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
296330 Piezas
Precio de referencia
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