AUIRF7416QTR Ficha de datos
Especificaciones para AUIRF7416QTR
Número de pieza : AUIRF7416QTR
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.04V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1700pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-AUIRF7416QTR
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
489635 Piezas
Precio de referencia
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