Especificaciones para AUIRF7303Q

Número de pieza : AUIRF7303Q
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 515pF @ 25V
Potencia - max : 2.4W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
28147 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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