AUIRF1018E Ficha de datos
Especificaciones para AUIRF1018E
Número de pieza : AUIRF1018E
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 79A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2290pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-AUIRF1018E
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
368440 Piezas
Precio de referencia
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