APTMC120AM55CT1AG Ficha de datos
Especificaciones para APTMC120AM55CT1AG
Número de pieza : APTMC120AM55CT1AG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 2mA (Typ)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1900pF @ 1000V
Potencia - max : 250W
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : SP1
Paquete del dispositivo del proveedor : SP1
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
9417 Piezas
Precio de referencia
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