APTM100A13DG Ficha de datos
Especificaciones para APTM100A13DG
Número de pieza : APTM100A13DG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 562nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 15200pF @ 25V
Potencia - max : 1250W
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : SP6
Paquete del dispositivo del proveedor : SP6
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-APTM100A13DG
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4720 Piezas
Precio de referencia
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