ALD1110EPAL Ficha de datos
Especificaciones para ALD1110EPAL
Número de pieza :
ALD1110EPAL
Fabricante :
Advanced Linear Devices Inc.
Descripción :
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
Serie :
EPAD®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
10V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.01V @ 1µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2.5pF @ 5V
Potencia - max :
600mW
Temperatura de funcionamiento :
0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete / Caja :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-PDIP
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-ALD1110EPAL
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
71950 Piezas
Precio de referencia
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