70T3519S200BC8 Ficha de datos
Especificaciones para 70T3519S200BC8
Número de pieza : 70T3519S200BC8
Fabricante : IDT, Integrated Device Technology Inc
Descripción : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : SRAM
Tecnología : SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamaño de la memoria : 9Mb (256K x 36)
Frecuencia de reloj : 200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -
Tiempo de acceso : 3.4ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 256-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 256-CABGA (17x17)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
5984 Piezas
Precio de referencia
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