1SS307E,L3F Ficha de datos
Especificaciones para 1SS307E,L3F
Número de pieza : 1SS307E,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 80V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 100mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.3V @ 100mA
Velocidad : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inverso (trr) : -
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10nA @ 80V
Capacitancia a Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : SC-79, SOD-523
Paquete del dispositivo del proveedor : SC-79
Temperatura de funcionamiento - Unión : 150°C (Max)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-1SS307E,L3F
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
15639035 Piezas
Precio de referencia
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