1N8026-GA Ficha de datos
Especificaciones para 1N8026-GA
Número de pieza : 1N8026-GA
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descripción : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1200V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 8A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.6V @ 2.5A
Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacitancia a Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : TO-257-3
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-257
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 250°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-1N8026-GA
Fabricante
Breve descripción
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
9368 Piezas
Precio de referencia
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